Иновации на Transistor Technology: Новата технология може да увеличи капацитета за охлаждане с повече от два пъти!

С нарастващата миниатюризация на полупроводниковите устройства се появиха проблеми като увеличена плътност на мощността и генериране на топлина, които могат да повлияят на производителността, надеждността и живота на тези устройства. Галий нитрид (GAN) на диамант показва обещаващи перспективи като полупроводникови материали от следващото поколение, тъй като и двата материала имат широки ленти, които позволяват висока проводимост и висока топлопроводимост на диаманта, като ги позиционират като отлични субстрати за разсейване на топлина.
Според доклади, изследователски екип от Метрополитън университет в Осака е използвал Diamond, най -термично проводимият естествен материал на Земята, като субстрат за създаване на галий нитридни (GAN) транзистори, които имат повече от два пъти по -голям капацитет за разсейване на топлината на традиционните транзистори. В последните изследвания учените от публичния университет в Осака успешно произвеждат транзистори с висока електронна мобилност на GAN, използвайки диамант като субстрат. Изпълнението на топлинното разсейване на тази нова технология е повече от два пъти по -голяма от тази с подобни оформени транзистори, произведени на субстрати от силициев карбид (SIC). Значително намалява термичното съпротивление на интерфейса и подобрява работата на топлинното разсейване.